Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1. Результаты творческой деятельности в области микроэлектроники как объекты
правовой охраны . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.1. Сущность и признаки результатов творческой деятельности . . . . . . . . .16
1.2. Результаты творческой деятельности и объекты изобретательского
и авторского права . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23
1.2.1. Результаты творческой деятельности и объекты изобретательского права . 23
1.2.1.1. Предложения, касающиеся интегральных микросхем . . . . . . . . . . . 23
1.2.1.2. Предложения, касающиеся базовых матричных кристаллов . . . . . . . . 30
1.2.2. Результаты творческой деятельности и объекты авторского права . . . . .34
1.3. Анализ применимости для охраны иных норм гражданского законодательства . 43
2. Правовая охрана результатов творческой деятельности в области
микроэлектроники в зарубежных странах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.1. Предпосылки правовой охраны . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .47
2.2. Специальная правовая охрана в США и Японии . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.2.1. Состояние правовой охраны в начале 80-х годов . . . . . . . . . . . . .49
2.2.2. Анализ особенностей закона США . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.2.3. Анализ особенностей закона Японии . . . . . . . . . . . . . . . . . . .61
2.3. Правовая охрана в странах Западной Европы . . . . . . . . . . . . . . . .64
2.3.1. Правовая охрана в странах-членах ЕЭС . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.3.2. Правовая охрана в Швеции . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.3.3. Правовая охрана в Австрии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .73
2.4. Правовая охрана в странах-членах СЭВ . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
2.5. Перспектива развития правовой охраны за рубежом . . . . . . . . . . . . .79
3. Правовая охрана результатов творческой деятельности в области
микроэлектроники в СССР . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
3.1. Предпосылки правовой охраны . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .82
3.2. Виды общественных отношений, подлежащих правовому регулированию . . . . .83
3.3. Права и субъекты прав . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .85
3.4. Обоснование выбора условий, формальных требований и срока действия
правовой охраны . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
3.5. Обоснование выбора процедуры оформления прав . . . . . . . . . . . . . .101
3.6. Форма и объем правовой охраны . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
3.7. Защита прав граждан и юридических лиц . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
3.8. Источники права . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
3.9. О правовой охране предложений, касающихся базовых матричных кристаллов .118
3.10. О правовой охране топологий базовых матричных кристаллов . . . . . . . 122
3.11. Соотношение права на топологию, изобретательского права, права
на промышленный образец и авторского права . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
4. Разработка проектов международных соглашений по правовой охране результатов
творческой деятельности в области микроэлектроники . . . . . . . . . . . . . 136
4.1. Существующие международные соглашения и результаты творческой
деятельности в области микроэлектроники . . . . . . . . . . . . . . . . . . .136
4.2. Деятельность ВОИС и разрабатываемые проекты международного договора . . 138
4.3. О целесообразности участия СССР в разрабатываемом ВОИС международном
договоре . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
4.4. Пути развития международного сотрудничества стран-членов СЭВ в области
правовой охраны топологий интегральных микросхем . . . . . . . . . . . . . . 150
Список литературы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .154
Приложение 1. Рекомендации по рассмотрению заявок, касающихся базовых
матричных кристаллов (БМК) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
Приложение 2. Протокол совещания специалистов по специальным объектам
промышленной собственности (выдержки) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .171